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        	language
            
        
      
        
      
    
      
    
      

      

      







      
	
      
    	
        
      
    
      

      


      
	
      
    
      
    	
      
        	
      MMBT5551LT1G
      
            Transistor type: NPN collector emitter breakdown voltage (Vceo): 160V collector current (Ic): 600mA power (Pd): 225MW high-voltage silicon NPN transistor
        
      
        
    
      

      









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